VS-GT100TP60N

		VS-GT100TP60N Код: 207359 Наличие на складе МСК: под заказ Наличие на удалённом складе: нет в наличии Цена розничная: звоните Цена мелкооптовая: звоните Цена оптовая - по запросу, с обязательным указанием требуемого количества
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=600В; Ic=100А

VS-GT100TP60N

Код: 207359

Наличие на складе МСК: под заказ
Наличие на удалённом складе: нет в наличии

Цена розничная: звоните
Цена мелкооптовая: звоните
Цена оптовая - по запросу, с обязательным
указанием требуемого количества

Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=600В; Ic=100А

Параметры:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 600 В
Ток коллектора Ic: 100 А
Температурный коэффициент Tc: 80
Температура перехода Tj: 175 °C
Тип корпуса: INT-A-PAK