VS-GB50TP120N

		VS-GB50TP120N Код: 207353 Наличие на складе МСК: под заказ Наличие на удалённом складе: нет в наличии Цена розничная: звоните Цена мелкооптовая: звоните Цена оптовая - по запросу, с обязательным указанием требуемого количества
Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=50А

VS-GB50TP120N

Код: 207353

Наличие на складе МСК: под заказ
Наличие на удалённом складе: нет в наличии

Цена розничная: звоните
Цена мелкооптовая: звоните
Цена оптовая - по запросу, с обязательным
указанием требуемого количества

Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=50А

Параметры:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 1200 В
Ток коллектора Ic: 50 А
Температурный коэффициент Tc: 80
Температура перехода Tj: 150 °C
Тип корпуса: INT-A-PAK