Регистрация | Вход
+7 (495) 660-36-20 / 8 800 333-11-43

ПН-ЧТ с 8:00 до 17:45, ПТ с 8:00 до 17:00
Показывать только из наличия

 

Каталог > Электронные компоненты, радиодетали > Модули силовые > Модули полупроводниковые силовые IGBT > VS... серия > VS-GB150TH120N

VS-GB150TH120N

VS-GB150TH120N модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=150А   VS-GB150TH120N

Код: 207343

Наличие на складе МСК: под заказ
Наличие на удалённом складе: нет в наличии

Цена розничная: звоните
Цена мелкооптовая: звоните
Цена оптовая - по запросу, с обязательным
указанием требуемого количества

Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=150А

Параметры:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 1200 В
Ток коллектора Ic: 150 А
Температурный коэффициент Tc: 80
Температура перехода Tj: 150 °C
Тип корпуса: Dual INT-A-PAK

VS-GB150TH120N модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=150А