Регистрация | Вход
+7 (495) 660-36-20 / 8 800 333-11-43

ПН-ЧТ с 8:00 до 17:45, ПТ с 8:00 до 17:00
Показывать только из наличия

 

Каталог > Электронные компоненты, радиодетали > Модули силовые > Модули полупроводниковые силовые IGBT > VS... серия > VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N модуль силовой IGBT; VCE(sat)=650В; Ic=171А   VS-ETF150Y65N

Код: 207269

Наличие на складе МСК: под заказ
Наличие на удалённом складе: нет в наличии

Цена розничная: звоните
Цена мелкооптовая: звоните
Цена оптовая - по запросу, с обязательным
указанием требуемого количества

Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=650В; Ic=171А

Параметры:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 650 В
Ток коллектора Ic: 171 А
Температурный коэффициент Tc: 60
Температура перехода Tj: 175 °C
Тип корпуса: EMIPAK 2B

VS-ETF150Y65N модуль силовой IGBT; VCE(sat)=650В; Ic=171А