Регистрация | Вход
+7 (495) 660-36-20 / 8 800 333-11-43

ПН-ЧТ с 8:00 до 17:45, ПТ с 8:00 до 17:00
Показывать только из наличия
Каталог > Электронные компоненты, радиодетали > Транзисторы > NPN и PNP транзисторные сборки с резисторами смещения
NPN и PNP транзисторные сборки с резисторами смещения
В мире электроники транзисторы играют ключевую роль в обеспечении функциональности различных устройств. NPN и PNP транзисторные сборки с резисторами смещения представляют собой основополагающие элементы в схемах управления и усиления сигналов. Эти транзисторы, в зависимости от структуры, способны обеспечивать различную полярность работы, позволяя инженерам создавать более сложные и эффективные схемы.

Резисторы смещения, встроенные в сборки, отвечают за стабильность и предсказуемость работы транзисторов. Они помогают установить необходимый уровень тока базы, обеспечивая корректное переключение транзисторов между состояниями "включено" и "выключено". Для транзисторов типа NPN характерно, что ток проходит от коллектора к эмиттеру, когда база получает положительное напряжение. В то время как PNP транзисторы функционируют иначе: ток направляется от эмиттера к коллектору при наличии отрицательного напряжения на базе.

Использование NPN и PNP транзисторов в схемах не только увеличивает гибкость проектирования, но и позволяет добиться высокой производительности при минимальном энергопотреблении, что является важным аспектом в современном мире энергетической эффективности.
BL2435 - 02 - XX - X - N - XX - X - U - X - 01
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10

1) Серия:
     BL2435
2) Количество рядов:
     02: два ряда
3) Количество контактов в ряду (2x50):
     01 ... 50
4) Материал изолятора:
     A: BK-PBT
     B: BK-PA66
     C: BK-PA6T
     D: BK-PA46
     E: BK-PA9T
     F: BK-LCP
5) Направляющие в плату:
     N: нет
6) Покрытие контактов:
     G0: золочение
     SN: лужение
7) Тип:
     R: угловой
     M: SMT
8) U: U-тип
9) Упаковка:
     T: Tube
     P: Tube+Cap
     R: Reel
     O: Pe Bag
     A: Tray
10)  

Уважаемые покупатели! Из-за быстро меняющихся, независящих от нас обстоятельств, цены
некоторых товаров могут оказаться недействительными. Актуальные цены просим уточнять у менеджеров.
  Код Наименование Структура Ток коллектора Iк, А Напряжение коллектор-эмиттер обратное Uкэо, В Коэффициент передачи мин. hFE min. Корпус корпус Маркировка маркировка Резистор 1 R1, Ом Коэффициент R1/R2 Входное напряжение при выключении Vi(off) (макс), В Входное напряжение при включении Vi(on) (мин.), В Кол-во в
упаковке
Цена розн.
с НДС, руб.
Цена м. опт
с НДС, руб.
Наличие на
складе МСК
Наличие на
уд. складе
 
EMF18XV6T1G (SOT-563) транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN BRT & PNP TXR; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) 356883 EMF18XV6T1G (SOT-563) Двойные NPN BRT & PNP TXR 0,1 50 80 SOT-563 UV 47 1 0 0   звоните звоните
-
-
Корзина
EMF5XV6T1G (SOT-563) транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN BRT & PNP TXR; Iк=0,1А; Uкэо=50В; hFE min.=80 (min) 356884 EMF5XV6T1G (SOT-563) Двойные NPN BRT & PNP TXR 0,1 50 80 SOT-563 UY 47 1 0 0   звоните звоните
-
-
Корзина
  357206 NSTB1002DXV5T1G (SOT-553) Двойные NPN BRT & PNP TXR 0,1 40 100 SOT-553 U9 47 1       звоните звоните
-
-
Корзина
NSTB60BDW1T1G (SOT-363) транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN BRT & PNP TXR; Iк=0,15А; Uкэо=50В; hFE min.=120 (min) 357208 NSTB60BDW1T1G (SOT-363) Двойные NPN BRT & PNP TXR 0,15 50 120 SOT-363 71 22 0,468       звоните звоните
-
-
Корзина
NSVTB60BDW1T1G (SOT-363) транзистор биполярный цифровой; Двойные NPN BRT & PNP TXR; Iк=0,15А; Uкэо=50В; hFE min.=120 (min) 357209 NSVTB60BDW1T1G (SOT-363) Двойные NPN BRT & PNP TXR 0,15 50 120 SOT-363 71 22 0,468       звоните звоните
-
-
Корзина